“......我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。
我们尝试关闭不导通的区域，让MOSFET在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。
在饱和区MOSFET的IDS是恒定的，尽管VDS增加并且一旦VDS超过夹断电压VP的值就会发生。
在这种情况下，该设备将像一個闭合的开关一样工作，饱和的IDS值流过该开关。
因此，无论何时需要MOSFET执行开关操作，都会选择该工作区域......
这样一来我们就能够让MOSFET在较低电压下以更高效率运行。”
周新的论文讲完后台下响起了礼貌的掌声。
因为周新的内容是纯粹的模型，也就是从理论层面讲述一个更加优秀的MOSFET架构，而缺乏实验数据。
很多东西模型设计的很完美，不代表在实验室复刻出来真的有这么完美。
现实世界是无法像理论推演一样完美的。
不过单纯从内容上来说，周新的MOSFET架构给了在场的研究人员们很多思考。
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